thesis

Sur un nouveau modèle de l'interaction électron-impureté dans les semiconducteurs

Defense date:

Jan. 1, 1986

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Institution:

Lille 1

Disciplines:

Abstract EN:

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Abstract FR:

Modèle original élaboré à l'aide de la méthode de Monte-Carlo et qui permet de prendre en compte les non-uniformités spatiales de concentrations de porteurs et d'impuretés. Cette méthode permet de déterminer la vitesse de dérive des porteurs en fonction de leur densité et de la concentration d'impuretés. Application à l'étude de la vitesse de dérive d'électrons dans une jonction n+n AsGa