Abstract FR:

L'objet de cette these est d'examiner les principaux parametres agissant sur les variations du gain en courant en fonction de la tension et du niveau d'injection. On essayera en particulier de valider la valeur de la densite de courant base de saturation en fonction des differents parametres physiques et technologiques. Dans une premiere partie, nous passons en revue les structures et les principales etapes de fabrication du transistor de puissance. La deuxieme partie sera consacree a expliquer succinctement ses particularites et son comportement electrique. Tirant profit de l'etude bibliographique faite, nous presentons a la fin le modele utilise dans notre programme de simulation qui nous parait representer a l'etat actuel des connaissances un bon compromis simplicite et precision, en detaillant les points particuliers et hypotheses qui rendent notre approche originale. Dans le cadre d'une analyse unidimensionnelle, une resolution d'un couple d'equations differentielles permet d'aboutir a la valeur de j#s#b#e: densite de courant de saturation. Les phenomenes de fort dopage, la reduction de la bande interdite, les phenomenes de recombinaisons auger, recombinaisons shockley-read et hall, la diminution de la mobilite des porteurs minoritaires fonction du dopage et les vitesses de recombinaisons en surface et en volume sont inclus dans notre travail. Les profils de dopages consideres sont consideres comme de type gaussien. Pour valider notre travail une comparaison de nos resultats a ete faite avec: des resultats obtenus a l'aide du logiciel medusa utilise par motorola, des resultats experimentaux mesures sur des transistors motorola