Abstract FR:

Pour étudier ses composants submicroniques, on a développé un modèle particulier de Monte Carlo pour appréhender les phénomènes physiques à la base du fonctionnement et d'en prédire les performances. La seconde partie est consacrée à une étude complète du transistor à effet de champ à gaz d'électrons bidimensionnel (T. E. G. F. E. T. ) GaAlAs/GaAs à grille submicronique. On présente ensuite diverses solutions pour éviter les défauts de structure du T. E. G. F. E. T. Finalement on étudie un composant à hétérojonctions basé sur le concept du transistor à modulation de vitesse.