Abstract FR:

Les auteurs développent une méthode générale de modélisation permettant de prendre en compte tous les phénomènes se produisant dans les transistors à effet de champ GaAs et GaAlAs (MESFET, …). Le modèle est appliqué à l'étude du MISFET AlGaAs/GaAs. D'autre part, les auteurs exposent une théorie analytique sans paramètres ajustables permettant de modéliser la résistance différentielle négative due au transfert électronique dans l'espace réel.