Abstract FR:

On propose, dans ce memoire, un modele simple et precis permettant de calculer les principales performances electriques des transistors bipolaires de puissance. Analytique, de nature unidimensionnelle, celui-ci tient compte du profil d'impuretes reel, notamment dans les regions profondes de collecteur. Aux mecanismes physiques habituellement pris en compte, est rajoute pour la premiere fois dans une description analytique la reduction de mobilite par interaction porteurs-porteurs qui joue un grand role dans la chute du gain. L'utilisation du modele a des fins de conception est illustree dans le cas d'un transistor de technologie epicollecteur. L'accord des performances electriques mesurees et calculees sur les premiers echantillons realises justifie l'approche choisie