thesis

Proprietes de photoluminescence de gaas : contribution a l'etude de gaas heteroepitaxie sur (ca,sr)f2 par la technique des jets moleculaires

Defense date:

Jan. 1, 1986

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Institution:

Toulouse, INSA

Disciplines:

Electrical engineering

Authors:

Directors:

Abstract EN:

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Abstract FR:

ANALYSE DE LA PHOTOLUMINESCENCE DE STRUCTURES GaAs/(Ca,Sr))F2/GaAs, A FLUORURE ACCORDE EN MAILLE AU GAAS; INFLUENCE DES PARAMETRES DE CROISSANCE ET DE LA DISTANCE A L'INTERFACE. COMPARAISON DES PERFORMANCES DE SEMICONDUCTEUR HETEROEPITAXIE A CELLES DE GAAS EPITAXIE; ETUDE DE COUCHES DE GAAS EPITAXIE SUR CAF2 MASSIF