Abstract FR:

Etude théorique, expérimentale et technologique de multiplicateurs de fréquence à transistors à effet de champ en GaAs à très haut rang d'harmoniques. Prévision des performances limites. Modèle numérique utilisable en C. A. O. Utilisation des modèles pour concevoir et réaliser, en structure monolithique GaAs une source microonde de fréquence 10 GHz stabilisée en fréquence par un signal à 1 GHz et comprenant un amplificateur d'adaptation à l'entrée, le multiplicateur proprement dit, un filtre actif passe-bande centre sur 10 GHz. Conception au moyen d'un logiciel de C. A. O. (Touchstone)