Abstract FR:

Notre memoire porte sur l'etude de la fiabilite et des phenomenes parasites lies a la technologie de fabrication de certains composants pour micro-ondes, a savoir diodes schottky beam-lead et transistors a effet de champ en arseniure de gallium (tec gaas) du type mesfet et hemt. Pour mener cette etude nous avons utilise en sus des techniques de caracterisation electriques classiques, d'autres plus originales telles que les mesures de bruit basse frequence et des mesures de la disposition frequentielle de l'impedance de sortie