Abstract FR:

Cette etude concerne les phenomenes tunnel resonnant dans des micro-composants en configurations planaire et verticale. Tout d'abord, les transferts de charge entre des systemes quantiques de differentes dimensionalites sont etudies en utilisant un nouveau formalisme prenant en compte l'ouverture du systeme. Dans la zone d'accumulation, nous definissons une densite locale d'etat. Nous montrons qu'il existe, hors resonance, une densite locale d'etat non nulle dans la zone d'injection resultant d'un couplage important avec la zone quantique centrale. Cet effet de signature est a l'origine d'une composante de courant importante dans la zone de resistance differentielle negative, demontre pour la premiere fois a notre connaissance. Par ailleurs, nous avons simule des structures double barrieres gaas, a la temperature de l'azote liquide. Les caracteristiques courant-tension montrent une evolution de type plateau en tres bon accord avec les experiences effectuees par le groupe de ntt au japon. Egalement, nous avons recemment caracterise une structure sur inp presentant des evolutions similaires. Dans une seconde etape, le nouveau formalisme nous permet d'inclure les effets d'interaction que ce soit dans la transmission ou dans l'injection.