Abstract FR:

Ce memoire traite de la modelisation en regime dynamique grand signal des transistors vdmos de puissance radiofrequence. Dans un premier temps, nous rappelons les differents types de structures du transistor vdmos de puissance realisees actuellement pour l'amplification de puissance radiotelephonie mobile dans les bandes etroites 890-915 mhz et 935-960 mhz allouees au systeme europeen gsm. Ensuite, un modele physique non lineaire, adapte pour tous les regimes de fonctionnement, est developpe. Les elements non lineaires de ce modele dependent des donnees physiques et technologiques du composant et des tensions de polarisations. Dans un deuxieme temps, nous presentons un modele reduit du transistor vdmos adapte aux simulateurs de circuits spice et eldo. Une premiere comparaison entre les caracteristiques simulees et mesurees est presentee en regime statique, regime de commutation et regime dynamique petit signal. Enfin, nous decrivons une methodologie d'etude des amplificateurs de puissance radiofrequence en regime non lineaire. Une technique de conception assistee par ordinateur de ces amplificateurs est proposee et testee. Les performances de ces dispositifs: gain en puissance, puissance en sortie, rendement et linearite de leurs caracteristiques de transfert en puissance ainsi que l'influence de la tension sur l'electrode de drain sont etudiees. Nous effectuons aussi une etude de la distorsion d'intermodulation d'ordre trois imd 3. Nous montrons que les performances, au sens de distorsion d'intermodulation et gain en puissance sont imposees par les courbures des caracteristiques statiques id(vds) dans la zone ohmique. Les conclusions pratiques sont faites quant aux qualites et defauts intrinseques de ces produits pour l'amplification de puissance uhf