Abstract FR:

Le travail presente dans ce memoire porte sur l'etude et la modelisation du bruit de fond dans les transistors bipolaires a heterojonction (tbh) gainp/gaas. Dans une premiere partie, nous presentons un rappel sur les particularites physiques de l'heterojonction gainp/gaas en les comparant avec celles d'une structure plus classique: l'heterojonction gaalas/gaas. Apres avoir presente la structure epitaxiale du tbh gainp/gaas, nous exposons les caracteristiques electriques de nos composants en insistant plus particulierement sur les grandeurs influant sur le bruit electrique. La seconde partie de notre memoire porte sur les sources de bruit dans les quadripoles lineaires. Apres avoir rappele les outils mathematiques necessaires a l'etude du bruit, nous dressons le panorama des differentes sources de bruit presentes dans les materiaux semi-conducteurs. Nous rappelons ensuite les differentes techniques utilisees pour la mesure du bruit de fond dans les composants actifs. Le troisieme chapitre de notre travail est consacre a la mesure des sources de bruit dans une bande de frequence allant de 300 khz a plusieurs dizaines de mhz. A ce propos, nous decrivons le banc de caracterisation developpe par nos soins en detaillant la methodologie mise en uvre pour acceder aux parametres de bruit du composant. Nous presentons alors les resultats de caracterisations et de modelisation effectuees dans la gamme des frequences radio sur des tbh gainp/gaas en mettant en evidence l'influence des dimensions geometriques sur les performances en bruit. La derniere partie de notre memoire est consacree a l'etude des composants dans le domaine des frequences microondes jusqu'a 22 ghz. Une methode de determination originale des parametres electriques du schema equivalent petit signal du tbh est proposee, qui fait appel a la fois a la mesure des parametres dynamiques (parametres s) et des parametres de bruit