Abstract FR:

Ce memoire presente une contribution a l'etude de la reponse des dosimetres p. M. O. S. Aux rayonnements ionisants. Contrairement au developpement des methodes de durcissement technologique, nos travaux ont eu pour objectif d'accroitre, d'une part, la sensibilite des dosimetres m. O. S. , afin de mesurer de faibles doses de rayonnements et d'autre part, la stabilite temporelle et thermique des structures, pour minimiser l'erreur commise lors de l'appreciation de la dose integree. Dans ce but, une analyse de l'ensemble des parametres technologiques a ete effectuee: la sensibilite d'un dosimetre m. O. S. Est principalement controlee par l'epaisseur d'oxyde de grille et le champ electrique d'irradiation. Des transistors p. M. O. S. D'epaisseurs de silice de grille de 1 et 2 m ont donc ete realises pour nos experiences. La reponse aux rayonnements de nos structures polarisees a fort champ, suit une loi lineaire en fonction de d#o#x#2. La sensibilite maximale (91 mv/rad(si) pour les 2 m) est proche de la valeur ideale obtenue en considerant un taux de piegeage de charges unitaire et autorise la mesure de doses de l'ordre de 1 rad(si). La stabilite temporelle a ete evaluee sous contrainte temperature-champ electrique: les experiences ont permis de mettre en evidence des derives reduites, de l'ordre de 0,1 rad(si)/h. La reponse thermique des dosimetres a egalement ete etudiee: le modele analytique que nous avons developpe, traduit les variations de tension de seuil des transistors m. O. S. Dans la gamme des specifications militaires 50c, +150c. Nous avons enfin examine les possibilites de recyclage thermique des dosimetres irradies en vue de leur reutilisation: il apparait clairement que la guerison des dommages crees est fortement assistee par la polarisation de grille. De plus, la sensibilite aux radiations des dosimetres ne semble pas etre affectee par des recyclages successifs