Abstract FR:

Ce memoire constitue une contribution a la caracterisation et la modelisation fort signal du transistor bipolaire a heterojonction sur arseniure de gallium (tbh gaalas/gaas), composant potentiel pour les applications microondes actuelles et futures. Dans une premiere partie, nous rappelons les differents modeles electriques non-lineaires du transistor bipolaire, ce qui nous permet de proposer un modele similaire pour le tbh, base sur une analyse de son comportement electrique. La deuxieme partie decrit les methodes de caracterisations electriques specifiques au tbh dans les differents regimes de fonctionnement statique et dynamique. Nous avons ete amenes a developper une caracterisation en regime impulsionnel pour s'affranchir des effets thermiques, qui sont critiques dans ces structures a base de gaas. La mise en uvre d'un banc automatise realisant cette operation autorise une caracterisation non lineaire appropriee du tbh. Associee a une methodologie d'extraction des parametres, elle permet d'aboutir a un modele precis de ce composant. La derniere partie permet de valider l'ensemble de la procedure modelisation-caracterisation par une comparaison simulations-mesures du tbh en regime faible et fort niveaux. Ce modele est alors utilise lors de la conception d'un oscillateur accordable electroniquement (vco) a la frequence de 1. 8 ghz, et permet de presenter les performances obtenues en simulation a partir de ce circuit