Abstract FR:

Reproduire les dégradations accrues des technologies bipolaires/BiCMOS, dues aux faibles débits de dose de radiations ionisantes propres à l'environnement spatial, est un problème non encore résolu. Plusieurs démarches expérimentals, faisant appel à des facteurs tels la température et la polarisation des composants et circuits, ont été explorées. Elles ont permis de s'approcher d'un niveau de dégradation réaliste. Grâce aux résultats obtenus, les principes d'une adaptation des méthodes de test actuelles ont pu être proposés. Des analyses technologiques de composants sont venues compléter ce travail afin d'améliorer la compréhension des phénomènes mis en jeu et d'affiner la recherche de solutions.