Abstract FR:

Une etude sur la modelisation des transistors haute frequence est presentee. Le comportement electrique du transistor a effet de champ sur arseniure de gallium (gaas-fet) est simule par le modele de statz, celui du transistor bipolaire par le modele gummel-poon. Des nouvelles procedures sur l'extraction des parametres critiques sont proposees ainsi que des strategies d'optimisation des parametres. Enfin, un modele physique et analytique, decrivant l'effet de coude dans les gaas-fet a ete developpe