Spectroscopie des défauts électriquement actifs par simplex-DLTS dans les structures P+N silicium préamorphisées au Germanium
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Abstract EN:
Our work is a contribution to the characterization of the necessary structures with Silicon in technology ULSI. They are ultra-thin P+N junction obtained on a preamorphized Silicon substrate with Germanium with various energies and doped with the Boron which poses problems associated with its abnormal diffusion during annealing. In chapter I, we present the stages of the realisation of those junctions and the defects generated by the preamorphisation and rapid thermal annealing. The object of chapter II is the electrical characterization to initially determine the dominating mechanisms of conduction in its structures and the second time their behavior under a low frequency magnetic field. In chapter III are presented two recent techniques of spectroscopic analyses of the defects which exploit the transitory responses of capacity of its junctions. A new more powerful method: Simplex-DLTS is presented in chapter IV.
Abstract FR:
Notre travail est une contribution à la caractérisation des structures au Silicium requises en technologie ULSI. Ce sont des jonctions P+N ultra-minces obtenues sur un substrat de Silicium préamorphisé au Germanium à différentes énergies et dopées au Bore qui pose des problèmes associés à sa diffusion anormale pendant le recuit. Dans le chapitre I, nous présentons les étapes de la réalisation de ces jonctions et les défauts engendrés par la préamorphisation et le recuit thermique rapide. L'objet du chapitre II est la caractérisation électrique pour déterminer dans un premier temps les mécanismes de conduction prépondérants dans ces structures et dans un second temps leur comportement sous un champ magnétique basse fréquence. Dans le chapitre III sont présentées deux techniques récentes d'analyses spectroscopiques des défauts qui exploitent les réponses transitoires de capacité de ces jonctions. Une nouvelle méthode plus performante : la Simplex-DLTS est présentée dans le chapitre IV.