Abstract FR:

L'interaction laser-silicium est d'abord l'objet d'une analyse physique: le taux de generation de paires electron-trou qu'induit l'onde laser dans le silicium des circuits integres est modelise. Dans le cadre de la diffusion ambipolaire des porteurs excedentaires en regime de faible injection, distribution des photoporteurs et photocourants sont ensuite etablis sur le plan analytique dans des structures elementaires qu'un faisceau laser photo-excite. Enfin, une technique de conception est proposee, qui consiste a inserer des cellules activees par faisceau laser dediees au test interne des circuits integres. Le fonctionnement physique et electrique de telles cellules realisees en technologies cmos et bicmos est etudie a l'aide de simulations physiques tridimensionnelles et mixtes