Abstract FR:

Cette these relate de l'analyse des parametres physiques et electriques d'une filiere technologique bipolaire i#2l avancee, appelee hf2c et produite par sgs-thomson microelectronics rennes, et ceci en vue de l'optimisation du procede de fabrication et de la reduction de ses regles de dessin. Dans un premier temps le procede hf2c a ete adapte d'une part a une augmentation de diametre de plaquette de 100mm a 125mm et d'autre part a une reduction de ses regles de dessin: procede appele hfcs. Dans un second temps la possibilite d'un transfert du procede hfcs a des plaquettes de diametre 150mm a ete etudiee. L'analyse des caracteristiques electriques des transistors npn a montre que le gain en courant des transistors npn a contact emetteur lave ne permet pas leurs integrations dans la technologie hfcs. L'analyse a egalement permis de deceler des defaillances electriques dues a l'unique dopage par predepot realise a partir de nitrure de bore et qui constitue la base extrinseque des transistors npn. Une simulation athena-ssuprem4 a montre la faisabilite du remplacement du predepot par une implantation ionique. L'analyse des premiers resultats experimentaux apres une implantation en ions bf#2#+ a mis en evidence les possibilites du changement de procede et ceci malgre la presence de quelques defaillances electriques et notamment des courants de fuite sur des transistors npn. Les caracteristiques electriques des transistors npn incrimines ont ete ameliorees en implantant a faibles energies des ions bore b#+ et en inserant une phase de recuit rapide rta entre les phases d'implantation et de diffusion des dopants. La mise au point a ete realisee sous forme de plan d'experiences. Ce nouveau procede permet l'integration des transistors npn a emetteur lave dans la technologie reduite hfcs et il facilite le transfert de cette technologie ainsi optimisee a des plaquettes de diametres superieurs