thesis

Modélisation et optimisation en vue de réalisations technologiques de M. E. S. F. E. T. Et de T. E. G. F. E. T. AlGaAs/GaAs

Defense date:

Jan. 1, 1988

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Institution:

Lille 1

Disciplines:

Electrical engineering

Authors:

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Abstract EN:

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Abstract FR:

Une méthode de modélisation de transistor à effet de champ a été mise au point pour l'analyse de structures existantes, pour le contrôle de la technologie et la recherche de structures optimales en circuits integrés monolithiques hyperfréquence. Elle est utilisée pour définir une structure mesfet optimale ainsi que celle d'un tegfet en algaas/gaas.