Abstract FR:

Le but principal de ce travail de thèse est l'étude par spectroscopie DLTS des diodes Schottky et Schottky oxydées formées sur des substrats InP de type n. Le procédé de passivation choisi est l'oxydation en milieu plasma, on distingue principalement deux cas : 1) oxydation dans un plasma multipolaire d'oxygène en adoptant deux types d'excitation : a) excitation avec une cathode chaude. B) excitation avec micro-onde (rce). 2) oxydation hors plasma rf. Cette étude a permis la localisation de la distribution en énergie des défauts ainsi que leur localisation, à l'interface entre l'InP et son oxyde natif, dans l'isolant ou dans le volume du semiconducteur. Les spectres DLTS mesurés sur toutes les structures présentent un pic large à température ambiante. Ces spectres font apparaître des anomalies. Pour les expliquer deux méthodes ont été utilisées: i) un modèle à deux composantes. Ii) un modèle à défaut unique tenant compte des fuites de courant et de la variation des sections efficaces de capture