Abstract FR:

Ces travaux presentent une methodologie permettant d'evaluer la qualite et la fiabilite de transistors a haute mobilite electronique (hemt) conventionnels et pseudomorphiques. Elle est basee sur le developpement de techniques d'analyse specifiques, tant electriques que physiques qui ont pour objectif la caracterisation des effets parasites de fonctionnement du hemt. La mise en uvre de ces outils a permis d'evaluer plusieurs filieres technologiques de fabrication a travers: la description et la morphologie du transistor issues de l'analyse de construction la determination d'un indicateur de qualite par l'analyse du bruit en basses frequences en 1/f. La detection, l'identification et la localisation de niveaux profonds dans les hemt par les mesures de transitoires du courant drain-source et l'analyse du bruit de generation-recombinaison