thesis

Etude des propriétés physiques et performances potentielles en basses températures du transistor à effet de champ à haute mobilité électronique AlGaAs/GaAs

Defense date:

Jan. 1, 1989

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Institution:

Lille 1

Disciplines:

Electrical engineering

Authors:

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Abstract EN:

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Abstract FR:

Mise en œuvre d'un modèle de simulation pseudo-bidimensionnelle au transistor a mobilité électronique élevée (HEMT) à grille submicronique permettant de prévoir ses performances potentielles à la température de l'azote liquide.