Abstract FR:

Cette étude a porté sur l’optimisation de la croissance épitaxiale du silicium poly/mono cristallin en couche épaisse pour la réalisation de micro-systèmes. Dans un premier temps l’étude a consisté à adapter le procédé EPIPOLY (Epitaxial Polysilicon) à nos réacteurs. Dans l’optique de réaliser des micro-systèmes à couches épaisses sans utiliser de gravure profonde, une méthode de croissance sélective du polysilicium etd’épitaxie sélective a été développée. Afin de valider les propriétés de nos couches épaisses et d’apprécier l'intérêt de la croissance sélective, plusieurs démonstrateurs tel des actionneurs thermiques ou des résonateurs électrostatiques ont été réalisés. Ceux-ci ont validé les bonnes caractéristiques mécaniques, thermiques et électriques de nos couches Enfin l’étude des mécanismes de l’épitaxie sélective du silicium a permis de développer une méthode pour réaliser des canaux enterrés dans le silicium, application très utile dans le refroidissement des circuits intégrés