Abstract FR:

Un programme de simulation bidimensionnelle des processus technologiques dans le cas de structures silicium-sur-isolant obtenues par implantation d'oxygene. Osiris ii a ete developpe. Il permet de simuler les principales etapes de fabrication des circuits integres sur simox. Les modeles physiques utilises pour l'oxydation, l'implantation ionique et la diffusion des dopants sont exposes. Par ailleurs, une solution analytique-numerique de l'equation de diffusion dans le cas des structures simox a ete proposee. Le couplage du programme osiris ii avec isis ii de simulation du comportement electrique des t-mos sur silicium-sur-isolant a ete presente. Enfin, les possibilites du programme sont illustrees par des exemples de simulation d'un transistor mos sur simox