Abstract FR:

Un equipement de test des transistors microondes a ete defini et mis en place. Les caracteristiques convectives et hyperfrequences sont mesurees simultanement pour tout le domaine de fonctionnement par une methode d'impulsions autour d'un point de polarisation. Cette technique par impulsions etend le domaine des mesures qu'il est possible d'effectuer sur les transistors microondes. Les effets de la derive thermique et des phenomenes dispersifs dont les transistors peuvent etre l'objet sont evites lors des caracterisations utilisant le principe de mesures en impulsions developpe dans ce rapport. La coherence des mesures convectives et hyperfrequences pratiquees sur les transistors microonde est verifiee, des modelisations non lineaires hyperfrequences des transistors par equations et par tables sont proposees. Une automatisation poussee du banc de mesure et un traitement systematique des resultats a l'aide d'une base de donnee des mesures ont permis de mener a bien l'elaboration de nouveaux modeles de transistors destines a la c. A. O des circuits hyperfrequences. L'ensemble des resultats presentes justifie la mise en uvre de la technique des mesures hyperfrequences par impulsions pour caracteriser et modeliser les transistors des circuits et systemes microondes