Abstract FR:

Ce travail est consacré à l'étude du remplissage de tranchées profondes (100 æm et plus) à fort rapport d'aspect par du Silicium polycristallin, et a pour but de définir la capacité de différents procédés CVD : LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition), RTCVD (Rapid Thermal CVD)et épitaxie, vis à vis de la réalisation d'un remplissage conforme sur ce type de gravure. Nous cherchons en outre à mettre en évidence les contraintes technologiques induites par la réalisation et le traitement des dépôts de fortes épaisseurs. Une première partie est donc consacrée à l'analyse du remplissage de tranchées profondes avec différents procédés CVD, en utilisant leurs conditions standards de dépôt, et pour différentes chimies de dopage. Dans une seconde partie, nous nous intéressons aux contraintes (techniques de retrait de la couche en surface, déformations mécaniques induites) liées à l'utilisation de couches de fortes épaisseurs.