Abstract FR:

Des études récentes ont montre qu'il était possible de fabriquer des composants électroniques performants en utilisant la neutralisation des impuretés par exposition a un plasma d'hydrogène. Cependant ce procédé n'a d'intérêt que si ces composants sont aussi fiables que ceux réalisés avec des procédés plus classiques. C'est pourquoi nous avons étudie, tant expérimentalement que théoriquement, comment la température, le champ électrique et le courant pouvaient modifier les caractéristiques des semiconducteurs hydrogènes. Le procédé de simulation numérique utilise dans la partie théorique de ce travail est base sur le modèle de mathiot. Ce procédé décrit l'évolution des caractéristiques d'un échantillon au cours des différentes phases de son traitement (exposition au plasma, refroidissement, recuit. . . ) ; il nous a permis de simuler la plupart des expériences effectuées sur des semiconducteurs hydrogènes. Dans la partie expérimentale, en utilisant différentes techniques (ftir, sims, c(v)), nous avons étudie l'effet de l'exposition au plasma d'hydrogène et la stabilité thermique de la neutralisation. Des expériences menées sur des diodes schottky hydrogènes nous ont permis d'étudier l'effet d'un champ électrique ou d'un courant sur cette stabilité.