Abstract FR:

Modélisation de transistors et de capacités polysilicium en couches minces sur isolant. Expression de la tension de seuil, du courant de seuil, du courant au-dessus du seuil, du courant en régime sature, de la résistance du film. Conception et réalisation d'écrans plats à matrice active. Mise au point de plusieurs technologies permettant un fonctionnement 109 normes militaires. Mise au point d'une technique permettant l'obtention de transistors polysilicium en deux étapes de photogravure. Cette technologie améliore considérablement le rendement de fabrication des écrans plats