thesis

ETUDE DES PREMIERES ETAPES DE LA CROISSANCE PAR JETS MOLECULAIRES SUR LES SYSTEMES HETEROEPITAXIAUX GaAs-(Ca, Sr)F2 ET GaAs/Si

Defense date:

Jan. 1, 1987

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Institution:

Toulouse, INSA

Disciplines:

Electrical engineering

Authors:

Directors:

Abstract EN:

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Abstract FR:

PREPARATION DES SUPPORTS GaAs ET Si. DEPOT DE (Ca, Sr)F2 SUR GaAs (ACCOMMODATION DES RESEAUX) ET SUR SI (DESACCOMMODATION = 5%) ET ETUDE DU MODE DE CROISSANCE PAR SPECTROMETRIE AUGER ET DIFFRACTION RHEED. PUIS ETUDE DE LA REPRISE DE CROISSANCE DE GAAS SUR (Ca, Sr)F2 OU SUR Si EN DEPOSANT D'ABORD UNE FINE COUCHE GaAs AMORPHE QUE L'ON RECUIT. LE MODE DE CROISSANCE, QUI EST TRIDIMENSIONNEL DANS DES CONDITIONS STANDARD, TEND ALORS VERS UN MECANISME 2D ET L'ETUDE RHEED PERMET D'ETABLIR LA QUALITE CRISTALLOGRAPHIQUE DES PREMIERES COUCHES GaAs AINSI ELABOREES