Abstract FR:

Les travaux presentes dans ce memoire portent sur les techniques de modification des circuits integres par faisceau d'ions focalises (fib) et sur la caracterisation des degradations eventuelles des parametres electriques des composants reconfigures. Sur les structures cmos, l'accumulation de charges au niveau des oxydes est identifiee comme le mecanisme de degradation preponderant. Pour les technologies bipolaires, l'impact du bombardement ionique de gallium induit une deterioration des tensions de claquage des jonctions et du gain en courant des transistors. L'interpretation des derives parametriques observees est confortee par des simulations physiques. Il est montre que les technologies bipolaires sont plus sensibles que les technologies cmos au bombardement ionique de la machine fib. Des demonstrations de reconfiguration des circuits par fib sont realisees par des procedures experimentales ameliorees permettant de garantir la fonctionnalite electrique. Une etude de la fiabilite de circuits cmos ayant subi des modifications par fib a valide ces modes operatoires. En effet, aucune difference de comportement entre les parametres electriques statiques des dispositifs irradies et des temoins n'a ete relevee. Les mecanismes physiques induits par le fib sur des composants elementaires mos et bipolaires sont donc identifies. Cette etude permet d'envisager l'investigation de circuits plus complexes.