Abstract FR:

Les amplificateurs cryotechniques faible bruit a base de transistors a haute mobilite electronique trouvent des applications a bord de satellites ou sondes spatiales dans tout systeme dont l'antenne de reception ne voit pas la terre: radioastronomie, sciences de l'univers, liaisons inter-satellites. Ce memoire comprend donc une premiere partie consacree a la physique et au fonctionnnement, en particulier a basse temperature, des transistors a haute mobilite electronique (hemt). Dans la seconde partie, nous traitons de la caracterisation aux temperatures cryogeniques, tant en parametres s qu'en parametres de bruit des composants hemt en puce. Une methode originale permettant de s'affranchir du gradient thermique que supportent les cables de liaison, basee sur la mesure d'un transistor a effet de champ non polarise monte en grille commune, est presentee. Des differents resultats experimentaux sont ensuite extraites les evolutions des elements du schema equivalent et des sources de bruit du transistor en fonction de la temperature et de la polarisation. Enfin, nous abordons la conception et la realisation de l'amplificateur cryotechnique. Apres avoir selectionne le composant et la technologie les mieux adaptes au fonctionnement en basse temperature, nous donnons les elements necessaires a la determination d'une topologie optimale d'amplificateur faible bruit. Les resultats de simulation obtenus sur les differents amplificateurs realises au moyen de logiciel d'aide au developpement de circuits micro-ondes sont presentes, avant d'analyser les resultats experimentaux releves a la temperature de l'azote liquide