Abstract FR:

La reduction des dimensions des motifs dans les circuits vlsi a entraine le remplacement partiel du silicium polycristallin utilise comme materiau de grille par des siliciures de metaux refractaires ou de transition, qui sont moins resistifs. Une etude approfondie a ete effectuee sur la resolution en profondeur de la technique rbs, qui est une methode tres adaptee a la caracterisation des siliciures. Ensuite, des analyses comparatives de construction ont ete realisees sur plusieurs memoires dram comportant un siliciure. Le siliciure de titane, tisi2, a ete elabore par trois differentes techniques et les proprietes physico-chimiques de ces couches ont ete comparees. Des resistivites de l'ordre de 13-16 micro-ohms centimetres ont ete obtenues par ces methodes de depot suivies d'un recuit rapide