Abstract FR:

L'objectif à moyen terme de ce travail consiste à modéliser des discontinuités de lignes planaires sur substrats semiconducteurs. Si pour les discontinuités de lignes planaires déposées sur des substrats sans pertes, de nombreuses études ont permis de progresser dans cette connaissance, il n'en est pas de même pour les discontinuités sur substrats à pertes. Avec, à l'esprit, l'objectif à moyen terme décrit précédemment, l'auteur a reposé le problème en reprenant les analyses au point de départ. Ainsi une étude bibliographique a mis en valeur quelques méthodes de simulation numérique afin de déterminer préalablement de spectre de modes, le plus complet possible, de part et d'autre de la discontinuité. Parmi ces approches, deux méthodes de simulation numérique ont été retenues: l'Approche dans le Domaine Spectral et la méthode des Equations Intégrales Singulières. Dans une première partie, l'auteur présente les améliorations apportées à cette méthode de simulation numérique connue : l'Approche dans le Domaine Spectral.