Abstract FR:

Nous avons realise une modelisation et une simulation a l'echelle atomique de la gravure chimique anisotrope du silicium. Pour cela, nous avons mis au point deux modeles atomiques. Le premier fait l'hypothese que la desorption d'un atome s'opere en cassant simultanement toutes ses liaisons par excitation thermique. Ce modele ne rend pas totalement compte des observations experimentales car les rapports d'anisotropie <100>:<110> sont inverses. Cependant, le modele donne une explication formelle de l'anisotropie de la dissolution. Le second est fonde sur l'idee de casser liaison par liaison en considerant que l'energie necessaire pour en casser une depend de sa configuration, c'est a dire le nombre d'ions hydroxydes qui l'entourent. L'aspect dynamique temporel est assure dans les deux cas par la mise en uvre d'un algorithme monte carlo. La simulation nous permet de calculer les vitesses d'attaque suivant n'importe quelle direction <hkl>. On peut donc construire un diagramme complet des vitesses d'attaque. Les resultats obtenus sont en accord avec l'experience. Notre analyse concerne les energies d'activation, les rapports d'anisotropies et une analyse qualitative de la rugosite microscopique