Abstract FR:

Ce travail se rapporte a la caracterisation et a l'interpretation des effets parasites du transistor a haute mobilite electronique (hemt). Nous montrons que les limitations de ces performances sont liees aux proprietes intrinseques des couches algaas et gaas. La correlation avec le bruit bf du canal et la fiabilite de ces composants (evaluee par un vieillissement accelere) mettent en evidence des degradations dont les origines sont particulierement attribuees aux procedes technologiques des contacts. Les resultats obtenus font cependant apparaitre pour le hemt un niveau de fiabilite equivalent au mesfet