Abstract FR:

Les potentialites de la filiere gazeuse disilane-protoxyde d'azote sont explorees pour la realisation de couches minces semi-isolantes de silicium partiellement oxyde (appele sipos) par procede de depot chimique en phase vapeur a basse pression. La premiere partie de ce travail concerne l'influence des parametres de depot (temperature pression et rapport des debits de gaz) sur la cinetique de depot, l'homogeneite en epaisseur et sur la composition des films. Les mecanismes de depots sont etudies et un modele chimique est propose. La seconde partie expose une technique originale que nous avons developpee pour la determination du taux d'oxygene des films. La caracterisation physico-chimique par spectroscopie de photoelectrons x, spectroscopie raman, spectroscopie infrarouge et par microscopie electronique en transmission est realisee et permet d'etablir un modele structural pour les depots ayant subi un traitement thermique post-depot. La derniere partie traite des phenomenes de conduction, de la resistivite electrique et de la constante dielectrique des films de sipos. Sur la base de ces mesures electriques, un modele structural pour les depots non recuits est propose