Abstract FR:

Les elements actifs et passifs de technologies bicmos sont analyses tant du point de vue de leur realisation technologique que de leurs performances electriques. Afin d'optimiser les performances electriques et le taux d'integration, une nouvelle structure est proposee fusionnant un transistor bipolaire et un transistor mos. Ce transistor vertical bimos montre tout son interet dans le mode de fonctionnement hybride qui conduit a un gain en courant superieur a 1000. Deux realisations technologiques sont presentees: l'une mettant en evidence le mode de fonctionnement hybride sur un transistor bimos de surface; l'autre proposant une solution technologique a l'obtention d'un transistor bimos vertical. Les resultats experimentaux obtenus sur ces vehicules de tests confirment l'etude theorique et la simulation prealablement effectuees