Abstract FR:

Le transistor bipolaire a heterojonction gaas/gaalas (tbh) presente de fortes potentialites pour l'amplification hyperfrequence de puissance. Ce memoire constitue une contribution a l'optimisation d'un processus technologique de fabrication de ce transistor pour ce domaine d'application. Dans la premiere partie, une etude theorique du comportement electrique du tbh nous a permis d'etablir un modele electrique en regime statique et dynamique petit signal. A partir de ce modele, nous avons etudie les phenomenes limitatifs des performances, en insistant sur la focalisation longitudinale du courant le long de l'emetteur et sur les phenomenes thermiques. Dans la seconde partie, nous dressons notre avant-projet de structure de puissance a partir de l'etat de l'art publie dans la litterature et des moyens technologiques a notre disposition. Le troisieme chapitre decrit de facon detaillee les travaux menes pour la mise en uvre et l'optimisation de chacune des etapes technologiques necessaires a la realisation de tbh de puissance: epitaxie des couches, realisation des contacts, gravure ionique reactive des mesas, prise des contacts par des ponts a air. Dans la derniere partie, une caracterisation electrique precise tant en regime statique que dynamique, nous a permis d'extraire les parametres du modele electrique du tbh. Les performances frequentielles atteintes par un transistor a un doigt d'emetteur de 10x2001#2 sont une frequence de transition de 20 ghz et une frequence maximale d'oscillation de 13 ghz. A 2 et 4 ghz, nous avons releve une puissance dissipee en sortie de 650 mw avec un rendement en puissance ajoutee de 60%