Abstract FR:

A partir d'un schema de bande general etabli dans le cas des polymeres electroactifs, nous avons explique les effets de competition entre les endommagements et le dopage pendant l'implantation d'ions. L'etude de la conductivite continue et de la conductivite alternative en fonction de la temperature nous permet de confirmer nos interpretations: les endommagements sont generes par des parametres d'implantation eleves et les phenomenes de transport se produisent principalement dans les etats degeneres proches du niveau de fermi alors que les faibles parametres d'implantation induisent un dopage dans les bandes polaroniques, caracterise par un processus thermiquement active. L'analyse par resonance paramagnetique electronique semble confirmer ces resultats; en outre, elle met en evidence des processus de recombinaisons apres de forts taux de dopage. Enfin, nous presentons des jonctions schottky et des jonctions pn obtenues par implantation ionique; des structures misfet sont finalement caracterisees