Abstract FR:

Le dépôt CVD assiste par laser de tungstène a été étudie pour permettre la reconnexion des pistes conductrices dans les circuits intègres. Des lignes de tungstène ont été déposées sur de l'oxyde de silicium en présence d'un mélange gazeux constitue d'hexafluorure et d'hydrogène. L'aspect morphologique du dépôt peut être contrôlé en ajustant la puissance laser, la vitesse de balayage et les pressions partielles. Un modèle cinétique a été construit a partir d'un logiciel de simulation thermique et du calcul de la diffusion de l'hexafluorure a travers l'hydrogène au repos. Un traitement original d'activation thermique a également été développé pour abaisser le seuil de température nécessaire à l'amorçage du dépôt. Des lignes d'aluminium ont enfin pu être reconnectées par une ligne de tungstene possédant une bonne adhérence et des valeurs correctes de résistivité et de résistance de contact.