Modélisation d'ordre réduit des interconnexions de circuits VLSI
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Abstract EN:
Lntegrated circuit designers are showing a growing interest in the effects of interconnect structures. Taking these effects into consideration during simulations has become a major goal. The main objective of this PhD was the development new model order reduction mathematical tools. VLSI interconnect applications were our main priority. Our model order reduction strategy supposes an initial modeling of the origjnal system using either a Laguerre or a Kautz representation. This manuscript contains a synthetic presentation 0f these orthogonal function bases. The five order reduction methods studied during this PhD are then presented. We make available several examples of application of methods to interconnect lines. Weillçistate, among other aspects, the possibility of obtaining Iow complexity equivalent circuits from our models and the possibility of performing reduced order modeling directly from data provided by full-wave simulation.
Abstract FR:
Les concepteurs de circuits intégrés s’intéressent de plus en plus aux effets des structures d’interconnexion. Leur prise en compte dans les simulations est devenue un enjeu majeur. La recherche menée durant ce travail de thèse a eu pour objectif l’élaboration de nouveaux outils mathématiques de réduction d’ordre des modèles. Les applications visées en priorité concernent les lignes d’interconnexion des circuits VLSI. L’approche que nous proposons à la problématique de réduction de modèle nécessite une première étape de modélisation du système d’origine par une représentation de Laguerre ou de Kautz. Le manuscrit contient une présentation synthétique de ces bases de fonctions orthogonales. Cinq méthodes de réduction d’ordre des modèles, étudiées durant ce travail de thèse sont ensuite présentées en détail. Nous donnons plusieurs exemples d’application de nos méthodes aux lignes d’interconnexion. Nous illustrons, entre autres, la possibilité d’obtenir des circuits équivalents de faible complexité à partir de nos modèles réduits et la possibilité d’obtenir des modèles réduits directement à partir de données issues des simulations électromagnétiques.