Abstract FR:

Nous avons etudie, par la technique de microindentation vickers sous illumination a temperature ambiante, l'effet photoplastique dans les composes semiconducteurs zns et gaas. Dans les deux composes, nous montrons que l'illumination par un rayonnement de longueur d'onde proche du seuil d'absorption du materiau modifie sa microdurete, a condition que les charges appliquees a l'indenteur restent faibles. La dependance spectrale est analysee. Zns presente un effet photoplastique positif, qui se manifeste par une augmentation de la durete vickers sous eclairement du compose. L'analyse par microscopie electronique en transmission de la sous structure des defauts engendres par la deformation, montre une reduction de la mobilite des dislocations, quelle que soit la nature chimique de leur coeur. Ce phenomene a vraisemblablement son origine dans une augmentation de la barriere de peierls liee a un accroissement de la charge des dislocations sous illumination. Dans gaas, l'effet photoplastique est negatif, mais son intensite s'annule presque completement quand le compose est dope in. L'analyse microstructurale indique que, dans le compose intrinseque, seules les dislocations dont le coeur est compose d'atomes as (en mode glide) voient leurs mobilites augmenter sous l'effet de l'illumination ; dans le materiau dope l'effet inverse se produit. Ceci est interprete dans le cadre des phenomenes lies aux recombinaisons non radiatives des porteurs sur les niveaux associes aux dislocations.