Abstract FR:

La reduction des dimensions des dispositifs microelectroniques reste a ce jour le meilleur moyen d'ameliorer les performances des circuits integres. Dans cette perspective, la maitrise des contraintes mecaniques generees au sein des dispositifs devient incontournable. L'identification des etapes critiques responsables de l'apparition de defaillances est souvent delicate car les origines possibles sont multiples (variations thermiques, oxydations, siliciurations, depots et gravures). La simulation multidimensionnelle (2d et 3d) de technologie represente un outil precieux qui permet le calcul des champs de contraintes etape par etape. L'objectif de ce travail est de systematiser le calcul de structures pour la simulation de procedes en introduisant les differentes sources de contraintes mecaniques rencontrees en technologie silicium. Une attention particuliere est portee aux sources extrinseques (absorption/evaporation d'humidite des oxydes deposes, densification des oxydes pellicules, cristallisation du silicium amorphe). Ces developpements sont d'abord realises dans un simulateur bidimensionnel, impact, puis etendus au cas tridimensionnel au sein du module difox.