Evaluation de l'homogeneite des couches actives realisees par implantation dans des substrats d'arseniure de gallium semi-isolant non dope
Institution:
Toulouse, INSADisciplines:
Directors:
Abstract EN:
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Abstract FR:
Cette these presente une technique de caracterisation des couches implantees dans de l'arseniure de gallium semi-isolant non dope qui mesure cartographiquement les parametres des transistors realises sur ces couches. Elle permet de donner des informations macroscopiques sur la reproductibilite et l'homogeneite de la technologie, y compris l'implantation ionique. On montre que les dispersions provenant de l'implantation masquent celles dues au substrat. Pour des donnees microscopiques, un deuxieme ensemble de caracterisation a ete concu dans le but de correler les repartitions et les distributions observees sur le semi-isolant; les fluctuations de tension seuil mesurees sur des transistors ne permettent pas de juger de la dependance avec les defauts dans le substrat