Abstract FR:

Ce travail concerne la réalisation et la caractérisation de résistances et de capteurs magnétiques en silicium polycristallin. Les résistances sont réalisées en technologie haute température à partir de deux types de couches. Les premières sont déposées cristallisées et dopées au bore par implantation ionique, les deuxièmes sont déposées amorphe, cristallisées à 600ʿC ou à 900ʿC et dopées in-situ à partir de diborane. Le deuxième type de couche s’est révélé le plus homogène, la dispersion des valeurs de résistance sur plaque étant inférieure à 2%. Les capteurs à effet Hall réalisés en technologie basse température sont de deux types. Le premier type est un motif de Hall. La sensibilité maximale atteinte est de 20 mV/T. Le second type est un transistor film mince. Les sensibilités les plus hautes sont atteintes pour des TFTs monocouches, 42 mV/T pour un TFT de type N réalisé à partir de silane et 26 mV/T pour un TFT de type P réalisé à partir de disilane.