Etude, conception et réalisation d'un banc de caractérisation " Source-Pull / Load-Pull multiharmonique " pour applications radars
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Abstract EN:
This study presents the investigation, the design and the realization of a Source-Pull / Load-Pull multiharmonic bench able to experimentally characterize microwave power devices entering the radar's line up. In CW or pulsed mode, the bench is able to make a synthesis of impedances at the fundamental frequency and at the two first harmonics, and is also able to reconstitute, in real time, the temporal waveforms at both components ports. Perfectly adapted to the needs of Thales Air Defence, this tool will allow in long term : to design the microwave non-linear circuit optimised with power added, power efficiency; to validate non-linear models of devices used in the simulation softwares. The characterization system implemented is independent of the work frequency, the component nature and the power levels. In order to show the interest of its exploitation in radar's domain, a first characterization has been realized on HBT transistor.
Abstract FR:
Ce mémoire présente l'étude, la conception et la réalisation d'un banc de mesure Source-Pull / Load-Pull multiharmonique pour caractériser de manière fonctionnelle les composants microondes de puissance entrant dans la composition de radars. Le banc est capable d'effectuer, en mode CW ou impulsionnel, une synthèse d'impédances à la fréquence fondamentale et aux deux premières harmoniques, et de reconstituer, en temps réel, les formes d'ondes temporelles aux accès du composant. Parfaitement adapté aux besoins de Thales Air Defence, cet outil permettra à terme : de concevoir les circuits hyperfréquences non-linéaires optimisés en puissance ajoutée maximum et/ou en rendement en puissance ; de valider ou d'améliorer les modèles électrothermiques de composants non-linéaires utilisés dans les logiciels de simulation. Le système de caractérisation mis en œuvre est notamment indépendant de la fréquence de travail, de la nature du composant et des niveaux des puissances. Afin de montrer l'intérêt de son exploitation dans le domaine des radars, une première caractérisation a été réalisée sur un transistor type HBT.