Abstract FR:

Une des solutions prometteuses pour la realisation des interrupteurs dans les circuits integres de puissance est le transistor lateral double diffuse mos utilisant la technique resurf (reduced surface field). Les avantages de ce dernier sont: (a) simplicite de mise en oeuvre, (b) excellente tenue en tension, (c) auto-isolation, (d) sa compatibilite avec la technologie des composants basses tensions (cmos, bipolaire ou bicmos). Cependant deux problemes majeurs interviennent dans l'optimisation de ce dispositif: (a) la resistance a l'etat passant ron trop elevee, (b) sensibilite importante de la tenue en tension vis-a-vis des parametres technologiques. Pour pallier a ces inconvenients nous proposons d'utiliser: (a) un surdopage en surface de la structure, (b) une passivation par une couche semi-resistive tel que le sipos. Les simulations numeriques bidimensionnelles montrent que l'utilisation conjointe de ces deux techniques permet d'obtenir une amelioration de la resistance ron qui s'evalue entre 40 et 60% ainsi qu'une desensibilisation importante au regard des tolerances technologiques. Les parametres geometriques (distance canal-drain, epaisseur de l'epitaxie et epaisseur de l'oxyde) et physiques (dopage de l'epitaxie, concentration et profondeur du surdopage) sont optimises afin d'obtenir la tenue en tension optimale de 400 volts. Les regles de conception ainsi definies ont permis la realisation des diodes ainsi que des transistors ldmos resurf utilisant le surdopage en surface et la passivation par du sipos