Abstract FR:

Ce mémoire présente les résultats d'une étude sur la compatibilité structurelle entre les circuits photorécepteurs pin et les transistors à effet de champ a hétérojonction qui permet d'améliorer leur intégration monolithique sur des substrats semi-isolants gaas. L'analyse des propriétés du photorécepteur vise à définir les règles de conception et d'optimisation des paramètres électriques et technologiques : réponse spectrale, sensibilité et rapidité. Ces règles offrent un moyen d'élaborer un transistor à effet de champ adapte à la photodétection. Ce transistor se définit par une transconductance élevée et une valeur faible du rapport du carré de la capacité sur la transconductance. L'étude de structures de transistors basée sur ces règles montre une adéquation de ces composants avec les photodiodes pin et métal/semi-conducteur/métal. Les composants sont fabriqués à partir d'hétérojonctions sur des substrats de gaas semi-isolants. A l'issue de ce travail de technologie, croissances et gravures des couches, métallisations des contacts, les caractérisations électriques des composants sont satisfaisantes. Pour accroitre à nouveau leurs performances, les systèmes photorécepteurs devront par la suite, intégrer des photodétecteurs à cavité résonante et des transistors à confinement uni-dimensionnel du gaz d'électrons