thesis

Contribution à l'étude des dislocations dans InP dopé et non dopé

Defense date:

Jan. 1, 1989

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Institution:

Toulouse, INSA

Disciplines:

Abstract EN:

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Abstract FR:

La plasticite d'inp non dope, dope soufre et arsenic est etudiee par une nouvelle technique de fluage, le fluage elementaire, dans un domaine de temperature 423-1023 k. La deformation d'inp et inp:s est observee en microscopie electronique in situ; le fonctionnement des sources de dislocations est examine. L'ensemble des resultats est exploite a l'aide des divers modeles de plasticite. La perturbation des proprietes electroniques par les dislocations est mise en evidence par photoluminescence locale