Abstract FR:

Les depots de films de silicium polycristallin et d'isolants, tels que le nitrure de silicium, a partir de phase vapeur et a basse pression, sont des etapes cles pour l'amelioration et l'innovation dans la fabrication des circuits integres et microstructures au silicium. A cette fin, des recherches sont menees en vue d'optimiser la qualite des operations de depot (amelioration de l'homogeneite et de la reproductibilite des films) et d'etablir des procedes a tres basses temperatures (a 600c et au-dessous). La faisabilite des depots de films de nitrure de silicium a ete etudiee a partir de trois precurseurs de silicium-dichlorosilane, silane et disilane melanges a de l'ammoniaque. Pour le dichlorosilane, l'etude a fait ressortir qu'a 600c, c'est l'apport de silicium (par pyrolyse du dichlorosilane) qui limite la croissance du depot. Une vitesse de depot optimale de 8-9 a/min a ete obtenue pour des films quasi stchiometriques. Les etudes de qualite electrique ont donne des champs de claquage de l'ordre de 8-10 mv/cm. Les etudes de depots, dans la gamme 555-600c, a partir de melange silane-ammoniaque n'ont montre aucun avantage en cinetique et homogeneite par rapport a la filiere dichlorosilane-ammoniaque. La troisieme filiere etudiee releve d'une approche plus specifique. Elle decoule des resultats acquis sur les depots de silicium a partir de disilane, gaz aujourd'hui produit avec une quantite et une qualite compatibles avec un procede industriel. Les conditions operatoires (debits et rapports gazeux, pression), conduisant a une cinetique et une qualite de depot exploitables industriellement, ont ete degagees. Il a ete egalement montre que des vitesses de depot consequentes (superieures a 20 a/min) ne sont atteintes que pour des films riches en silicium. Enfin, des etudes de qualite electrique montrent que les champs de claquage obtenus atteignent 6-8 mv/cm